上海中科神光光電產(chǎn)業(yè)有限公司
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薄膜基片
發(fā)布時(shí)間: 2020-09-28 19:29
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材料 |
導(dǎo)電類型 |
膜層厚度 |
尺寸 |
晶向 |
制備方法 |
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Pt/Ti/SiO2/Si |
N型摻P,P型摻B |
Pt：150nm；過渡層Ti：20nm ； SiO2： 500nm |
?100mm, 或者根據(jù)客戶要求切成方片 |
Si基底晶向<100> |
磁控濺射 |
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Au/Cr/Si |
N型摻P,P型摻B |
Au,40~100nm,過渡層Cr,20nm |
?50.8mm, 或者根據(jù)客戶要求切成方片 |
Si基底晶向<100> |
磁控濺射 |
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SiO2/Si |
N型摻P,P型摻B |
SiO2,100/200/300/500nm |
?50.8/76.2/100mm, 或者根據(jù)客戶要求切成方片 |
Si基底晶向<100>或者<111> |
干濕氧化 |
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